ddr4内存时序参数对照表

2025-02-09 23:05:56问答浏览:5377次

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1 个回答

  • 七雄争霸
    淦季义
    DDR4内存时序参数对照表如下:
    1. CAS Latency (CL):内存访问延迟,通常以时钟周期数表示,数值越小,性能越好。 2. Row Active Time (tRAS):内存行激活时间,即从行地址选通脉冲开始到行地址结束的时间。 3. Row Precharge Time (tRP):内存行预充电时间,即从行地址选通脉冲开始到行地址预充电的时间。 4. Row Cycle Time (tRCD):内存行周期时间,即从行地址选通脉冲开始到下一个行地址选通脉冲的时间。 5. Write Recovery Time (tWR):内存写入恢复时间,即从写入命令开始到下一个读或写命令的时间。 6. Read to Write Recovery Time (tRTP):内存读至写恢复时间,即从读命令开始到写命令的时间。 7. Write to Read Recovery Time (tRTW):内存写至读恢复时间,即从写命令开始到读命令的时间。 8. Command Rate (CR):内存命令速率,通常为2T或1T,表示内存对命令的响应时间。
    以下是一些常见DDR4内存时序参数对照表:
    | 内存频率 | 时序参数(CL-tRCD-tRP-tRAS) | 命令速率 | | :-------: | :-----------------------: | :-------: | | 2133MHz | 16-16-16-36 | 2T | | 2400MHz | 16-18-18-36 | 2T | | 2666MHz | 16-18-18-
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我也是有底线的人~
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